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市物示收费属于2015年获何梁何利基金科学与技术进步奖。这项工作表明，门明堆积方式对晶体材料的激发态和PL各向异性具有重要影响，表明多晶型纳米结构在多功能纳米光子器件中的巨大应用潜力。

1992年作为中日联合培养的博士生公派去日本东京大学学习，确表师从国际光化学科学家藤岛昭。主要从事纳米碳材料、乱收二维原子晶体材料和纳米化学研究，乱收在石墨烯、碳纳米管的化学气相沉积生长方法及其应用领域做出了一系列开拓性和引领性工作，是国际上具有代表性的纳米碳材料研究团队之一。英国物理学会会士，济南价部英国皇家化学会会士，中国微米纳米技术学会会士。

市物示收费属于2004年兼任国家纳米科学中心首席科学家。这项研究为石墨烯的CVD生长中的气相反应工程学提供了新的见解，门明从而获得了高质量的石墨烯薄膜，门明并为大规模生产具有改进性能的石墨烯薄膜铺平了道路，为将来的应用铺平了道路。

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该工作揭示了AR对电荷转移的影响，乱收并为通过精确调节活性的方法从而设计出高效且环保的催化剂铺平了道路。目前被广泛研究的p型氧化物半导体有SnO，济南价部NiO，济南价部Cu2O，PdO等等，这些氧化物的价带顶因为有金属原子轨道和氧原子的p轨道杂化使得价带顶能带色散增强，因而空穴有效质量比较小，迁移率比较大。

常见的由金属氧化物形成的半导体有TiO2，市物示收费属于SnO2和In2O3。门明这个方法成功的筛选出了基于Sn2+的高空穴迁移率高相稳定性的三元化合物:K2Sn2O3,Rb2Sn2O3,TiSnO3,Ta2SnO6,和Sn5(PO5)2。

【成果简介】对此，确表德州大学达拉斯分校KJ Cho课题组提出了通过引入第三种元素到二元金属氧化物的方法来改善p型氧化物禁带宽度小相稳定性弱的缺点。在这个工作中他们以SnO为例，乱收探究了通过引入第三种元素X形成Sn-O-X三元化合物来增大二元化合物SnO禁带宽度和Sn2+的相稳定性。